¿Es posible almacenar películas, fotos y documentos escribiéndolos en el ADN?

¿Es posible almacenar películas, fotos y documentos escribiéndolos en las letras A, C, G y T de una molécula de ADN? La idea circula con fuerza cada vez que aparece un titular sobre “memoria de ADN”. Sin embargo, el trabajo publicado en enero de 2026 por el equipo de Kavya S. Keremane en Advanced Functional Materials no guarda ni un solo byte dentro de una secuencia genética: lo que ha construido es un memristor con ADN sintético, y entender la diferencia cambia por completo lo que uno cree haber leído.

¿Pero, qué es un memristor?

Antes de seguir, conviene aclarar el término que da nombre al dispositivo. Un memristor, contracción de “memory resistor” (resistencia con memoria), es un componente electrónico de dos terminales cuya resistencia eléctrica cambia al aplicarle un pulso de voltaje o corriente, y conserva ese valor de resistencia incluso cuando se corta la alimentación, como un interruptor que recuerda en qué posición quedó. Es distinto de una resistencia convencional, que no guarda ningún estado, y también de la memoria RAM de un ordenador, que pierde sus datos al apagarse.

El concepto lo formuló en 1971 el ingeniero Leon Chua como el cuarto elemento básico de la electrónica, junto a la resistencia, el condensador y la bobina, aunque no se fabricó un dispositivo real hasta 2008, en los laboratorios de HP. Desde entonces, los memristores se investigan sobre todo para dos usos: memorias no volátiles de bajo consumo, como la de este trabajo, y computación neuromórfica, donde sus estados de resistencia graduales imitan cómo cambia de fuerza una conexión neuronal.

Del titular al bisturí: “memoria de ADN” no es un pendrive biológico

Conviene empezar por la corrección clave. El almacenamiento molecular de datos clásico, ese que sí codifica información en la secuencia de nucleótidos para archivarse in vitro, es una línea de investigación real y fascinante, pero no es lo que hicieron estos investigadores de la Universidad Estatal de Pensilvania (Penn State). Aquí el ADN sintético no funciona como archivo ni como soporte documental: es un ladrillo estructural más de la nanoelectrónica.

El dispositivo es un memristor, una memoria resistiva que combina tres materiales: fragmentos de ADN sintético de 22 nucleótidos, nanopartículas de plata y una perovskita cuasi-2D basada en plomo y yodo. La información no vive en las letras genéticas, sino en distintos estados de resistencia eléctrica.

El lenguaje mediático “ADN como memoria” mezcla, por tanto, una metáfora biológica con una medición eléctrica. Son planos completamente distintos. Y esa confusión inicial contamina también la cifra estrella del titular, ese “100 veces menos consumo” que tampoco significa lo que parece a simple vista.

Memristor con ADN sintético vs. almacenamiento en secuencias A-C-G-T: ¿en qué se diferencian?

Para entender la frontera técnica entre ambos mundos, conviene contrastar sus principios operativos:

¿Este dispositivo guarda información en la secuencia del ADN, como el “disco duro de ADN” del que se habla en otros proyectos?

No. En el almacenamiento molecular donde se codifica en A, C, G y T, el propio orden de las bases es el dato: para leerlo hay que secuenciar la molécula mediante síntesis y lectura enzimática. En el memristor de Penn State, la secuencia de las 22 bases es fija y solo aporta una estructura molecular aislante y porosa; el dato se guarda como un estado de resistencia eléctrica y se lee aplicando un voltaje en milisegundos, no secuenciando nada.

¿Se puede secuenciar este chip para recuperar la información?

No tendría ningún sentido: la información no está en la cadena química de nucleótidos, sino en si el camino conductor de plata entre los electrodos está abierto o cerrado en ese instante.

¿Por qué se usa entonces ADN en la fabricación?

Porque el ADN es un polímero extraordinariamente regular, denso y predecible a escala nanométrica. Los investigadores lo utilizan como una capa dieléctrica ultrafina que ayuda a confinar el campo eléctrico y estabiliza la formación de filamentos metálicos conductores a tensiones muy bajas.

La información no reside en la secuencia de bases nitrogenadas, sino en la resistencia eléctrica que atraviesa el material.

Anatomía del chip: qué hay realmente dentro del dispositivo

El prototipo se organiza en una estructura vertical por capas, un sándwich nanoscópico donde cada elemento cumple una función física concreta:

• Electrodo inferior: una capa de óxido de indio y estaño (ITO) depositada sobre vidrio.
• Capa activa híbrida: una película delgada de perovskita cuasi-2D intercalada con oligonucleótidos de ADN sintético de 22 bases.
• Electrodo superior: contactos de plata que suministran los iones metálicos para la conmutación.

El ADN sintético de 22 meros no codifica nada en su secuencia. Actúa como un andamio molecular denso y ajustable que ayuda a controlar el transporte de carga y la conmutación. Es material y física del estado sólido, no soporte de un archivo genético. Esta es la corrección clave que casi ningún titular respeta al hablar de “memoria de ADN”.

Por su parte, la perovskita aporta el comportamiento semiconductor: pertenece a la familia de las perovskitas de haluro y contiene plomo y yodo, un detalle nada menor cuando se analiza su viabilidad e impacto ambiental. Las nanopartículas de plata participan activamente en la formación y ruptura de los filamentos conductores que reconfiguran el estado lógico del dispositivo.

Cómo se guarda la información: estados eléctricos, no letras

Insistamos en el punto que desmonta el malentendido: aquí no se escribe información en secuencias A/C/G/T. Los datos quedan asociados a distintos estados de resistencia del memristor, exactamente igual que en otras memorias resistivas (RRAM) experimentales. El “lenguaje” del dispositivo son los pulsos eléctricos. Una operación de escritura, técnicamente SET o RESET, reconfigura los caminos conductores de plata y fija un nuevo estado de resistencia:

• Pulso SET: Conecta los filamentos de plata y hace caer la resistencia eléctrica (estado de baja resistencia, equivalente a un “1” lógico).
• Pulso RESET: Rompe parcialmente esos puentes metálicos y la resistencia se dispara (estado de alta resistencia, equivalente a un “0” lógico).

Para leer, basta aplicar un voltaje muy bajo que no altere esos caminos y medir cuánta corriente circula: mucha corriente indica un estado, poca indica el otro. Con una relación ON/OFF superior a $10^5$, el sistema tiene margen de sobra para separar ambos estados lógicos sin ambigüedad.

Los pulsos eléctricos conectan o desconectan puentes atómicos de plata, permitiendo lecturas ultraprecisas con una relación ON/OFF superior a 100.000.

El dato estrella “100× menos” o qué es lo que han medido

Llegamos a la cifra que domina los titulares internacionales. El reclamo de “100 veces menos consumo” arrastra una confusión frecuente entre tres magnitudes físicas que no son intercambiables: la potencia instantánea de conmutación, la energía por operación y el consumo total del sistema informático. Confundirlas equivale a mezclar la velocidad punta de un motor con el combustible que gasta en un acelerón puntual o en un viaje completo.

Vayamos a los números verificables del prototipo en la condición de baja corriente. El memristor opera a 0,17 V y 100 µA, con una potencia de conmutación de aproximadamente 17 µW ($P = V \times I$). El artículo describe también un segundo régimen de funcionamiento (con 1 mA y voltaje inferior a 0,1 V) donde la potencia ronda los 100 µW. Son puntos de operación distintos dentro del laboratorio.

¿De dónde sale entonces el factor “100×”? La comparación se establece estrictamente frente a otros dispositivos memristivos experimentales descritos en la literatura científica, tomando como referencia la potencia durante la conmutación SET/RESET en régimen de baja corriente.

No demuestra en ningún caso que un disco SSD comercial, una tarjeta de memoria flash o un módulo de RAM convencional consuman cien veces más electricidad en tu ordenador. De hecho, el propio comunicado de Penn State emplea en ocasiones formulaciones más prudentes, hablando de “aproximadamente una décima parte de la potencia” de tecnologías comparables, lo que aconseja tratar las cifras multiplicativas con cautela crítica.

Hay un matiz adicional: los 17 µW corresponden a una potencia de programación calculada, no al consumo estático continuo. Y para calcular la energía real por operación ($E = P \times t$) es imprescindible conocer la duración exacta de cada pulso temporal.

Rendimiento de laboratorio: ciclos, retención y comparaciones rápidas

El prototipo de Keremane y su equipo registró unos 1.000 ciclos de conmutación y una retención de 4.000 segundos, equivalente a 1,1 horas. Son registros notables para una prueba de concepto en ciencia de materiales, pero se sitúan todavía muy lejos de las exigencias comerciales de la electrónica de consumo.

Conviene no confundir “retención temporal en segundos” con “vida útil de años”. Extrapolar su durabilidad real requeriría ensayos acelerados de degradación bajo distintas condiciones térmicas, humedad ambiental y matrices de miles de celdas interconectadas.

La resistencia a ciclos (endurance) y la retención son dos propiedades independientes: un dispositivo puede soportar millones de escrituras y perder la carga en minutos, o mantener el dato décadas pero degradarse al décimo ciclo. Aunque el equipo reporta estabilidad durante seis semanas a temperatura ambiente y tolerancia térmica cercana a los 121 °C, estos datos son hitos de caracterización básica, no una homologación industrial.

El gran “pero”: estabilidad, fabricación y escalado

Una demostración académica con una celda individual aislada dista mucho de una tecnología lista para integrarse en obleas de silicio. El salto a la industria exige resolver tres desafíos mayúsculos:

• Reproducibilidad a gran escala: fabricar matrices de millones de memristores idénticos sin variaciones de rendimiento celda a celda.
• Integración CMOS: Compatibilizar la deposición de biomoléculas de ADN y perovskitas con los procesos térmicos estándar de las fundiciones de semiconductores.
• Toxicidad y sostenibilidad: La presencia de plomo y haluros de yodo en la perovskita plantea importantes restricciones normativas (como la directiva RoHS europea) para su eventual comercialización.

El memristor con ADN sintético y perovskita es un avance elegante que expande las fronteras de los materiales híbridos para la computación neuromórfica y el procesamiento en memoria. Pero, por ahora, es una prometedora prueba de laboratorio: no sustituirá a la memoria de tu teléfono móvil a corto plazo, ni supone tampoco un almacenamiento genético de datos en el sentido biológico del término.